KARAKTERISASI SIFAT OPTIK DAN MORFOLOGI NANOROD ZnO YANG DIDOPING GALIUM (ZnO;Ga)

Sri Novita, Iwantono Iwantono, Awidrus Awidrus

Abstract


Telah dilakukan penumbuhan nanorod ZnO menggunakan metode hidrotermal pada suhu 90o C selama 8 jam di atas permukaan Flourine Tin Oxide(FTO). Pada penelitian ini akan dianalisa bagaimana efek dari variasi persentase doping galium 0,5%, 1%; 1,5%; 2%; 2,5%, 3% dan 3,5% terhadap sifat optik dan morfologi nanorod ZnO yang tumbuh. Sampel ZnO didoping galium dikarakterisasi dengan spektroskopi UV-Vis dan Mikroskop Pindaian Emisi Medan Elektron (FESEM). Spektrum UV-Vis menunjukkan bahwa nilai reflektansi yang kuat terjadi pada panjang gelombang 400-800 nm.Sampel doping Ga 2,5% menghasilkan reflektansi terendah dibanding sampel lain. Foto FESEM menunjukkan bahwa nanorod ZnO yang didoping galium tumbuh di atas permukaan FTO dengan penampang berbentuk heksagonal. Sampel 2,5% galium lebih seragam dan lebih tegak dibandingkan dengan sampel yang lain.


Keywords


Anorod ZnO didoping gallium; Metode hidrotermal; UV-Vis; FESEM

Full Text:

PDF (INDONESIA)

References


Abdullah, M. 2012. Pengantar Nanotekologi. Institut Teknologi Bandung. Bandung.

Gonzalez-Valls, I., Lira-Cantu, M. 2009. Vertically-aligned nano structures of ZnO for excitonic solar cells:A review. Energy & Environmental Science 2(1):19-34.

Iwantono, Anggelina, F., Taer, E., Taslim, R. 2015a. Sel surya fotoelektrokimia berbasis nanorod Zink Oxide (ZnO) sebagai material aktif dan nanopartikel platinum (Pt) sebagai katalis elektroda lawan. Prosiding semirata 2015.

Iwantono, Nurwidya, W, Lestari, L. R., Naumar, F. Y., Nafishah, Umar, A. A., Rahman, M. Y. A., Salleh, M. M. 2015b. Effect of growth temperature and time on the ZnO film properties and the performance of dye sensitized solar cell (DSSC). J. Solid State Electrochem.19(4): 1217-1221.

Iwantono, Widia, E. P., Naumar, Y. F., Anggelina, F., Saad, Md., Umar, A. A. Performance of Dye Sensitized Solar Cell Utilizing Ga-ZnO Nanorods: Effect of Ga Concentration. International Journal of Electrochemical Scince. 2016c.

Lin, S. S., Huang, J. L., Saigalik, P. 2004. The properties of heavily Al-doped ZnO films before and after annealing in the different atmosphere. J. Surface and Coatings Technology. 185(2-3): 254–263.

Park, G. C., Hwang, S. M., Lim, J. H., Joo, J. 2014. Growth Behavior and electrical performance of Ga-Doped ZnO nanorod/psi heterojunction diodes prepared using a hydrothermal method. Nanoscale 6(3):1840-1847.

Soaram, K., Hyunggil, P., Giwoong, N., Hyunsik, Y., Byunggu, K., Iksoo, J., Younggyu, K., Ikhyun, K., Youngbin, P., Daeho, K., and Jae-Young, L. 2014. Hydrothermally Grown Boron-Doped ZnO Nanorods for Various Applications: Structural, Optical, and Electrical Properties. Electronic Materials Letters.10 (1) :81-87.

Yamamato, Y.,Saito, K.,Takashi, K.,Konagai, M. 2001. Preparation of Boron-doped ZnO Thin Film By Photo-atomic Layer Deposition. DOI: 10.1016/S0927.Vol.65(1): 125-132.

Yun, S., Lee, J.,Yang, J. & Lim, S. 2010.Hydrothermal synthesis of Al-doped ZnO nanorod arrays on si substrate. Physic B:Condesed Matter 405(1):413-419.




DOI: http://dx.doi.org/10.31258/jkfi.14.1.939-944

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Indexing by:

  

 

Image